
Samsungs Toggle DDR 2.0 Speicher steht in den Startlöchern.
Samsung hat mit der Produktion der neuen NAND-Chips begonnen. Merkmale wie doppelte Datenraten und 20nm-Technik bis zu 400 Mbps Datendurchsatz werden erwartet. 64GB Speicherplatz und drei Mal schneller als die DDR 1.0 Ausführung bieten die ersten Modelle. Im Vergleich: heute werden oft die zehn Mal langsameren 40 Mbps-SDR-Speicherchips in Smartphones verbaut.



